Основные
Производитель Samsung
Код производителя MZ-V8P1T0BW
Внимание!! В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита.
Назначение внутренний
Тип SSD
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI-E 4.0 x4
Объём накопителя 1000 Гб
Тип флэш-памяти TLC
Контроллер Samsung Elpis (8нм)
Объём кэш памяти 1024 Мб, LPDDR4
Скорость чтения 7000 МБ/сек
Скорость записи 5000 МБ/сек
Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков 1000000 IOPS, с глубиной очереди QD32
Скорость произвольной записи 4 КБ блоков 1000000 IOPS, с глубиной очереди QD32

Дополнительно
Ресурс перезаписи (TBW) 600 ТБ
Время наработки на отказ 1500000 ч
Вес 0.009 кг

Гарантия 12 мес.